Rancang Bangun Low-Noise Amplifier pada Frekuensi 3 GHz Menggunakan Transistor BJT dengan Konfigurasi Cascade Dua Tingkat

Aqiilah, Fathurrahman (2024) Rancang Bangun Low-Noise Amplifier pada Frekuensi 3 GHz Menggunakan Transistor BJT dengan Konfigurasi Cascade Dua Tingkat. Other thesis, Institut Teknologi Sepuluh Nopember.

[thumbnail of 07111940000137-Undergraduate_Thesis.pdf] Text
07111940000137-Undergraduate_Thesis.pdf - Accepted Version
Restricted to Repository staff only

Download (1MB) | Request a copy

Abstract

Pengawasan adalah suatu upaya yang dilaksanakan dengan kegiatan pemantauan pengumpulan informasi dalam rangka untuk memastikan terjalannya suatu standar, mempengaruhi suatu kejadian, dan melakukan kegiatan pengarahan. Salah satu media yang digunakan dalam melakukan kegiatan pengawasan adalah radar. Radar, yang merupakan singkatan dari radio detection and ranging, adalah suatu sistem pendeteksi, pengukuran, dan pengawasan yang memanfaatkan gelombang elektromagnetik dalam fungsi kerjanya. Radar di dunia nyata digunakan untuk mengukur jarak, mendeteksi posisi dan bentuk objek, dan mengamati objek meteorologi.
Dalam radar terdapat komponen-komponen penting yang berfungsi untuk memastikan kebagusan performa suatu radar. Dalam penelitian tugas akhir ini akan diteliti komponen Low-Noise Amplifier (LNA) yang akan digunakan dalam sistem radar CC-OFDM-MIMO. Komponen elektronik Low-Noise Amplifier (LNA) berfungsi sebagai penguat sinya berdaya rendah tanpa menurunkan rasio signal-to-noise (SNR). Low-Noise Amplifier (LNA) akan digunakan di bagian penerima radar yang akan menguatkan sinyal yang akan diterima dan selanjutnya difilter oleh band pass filter.
Transistor yang akan digunakan dalam penelitian adalah transistor jenis Bipolar Junction Transistor (BJT) tipe BFP420 dengan cascading dua transistor tipe RF yang akan bekerja di frekuensi 2 – 4 GHz. Dalam matching impedance akan digunakan tiga sirkuit di bagian input transistor tingkat satu, interstage di antara transistor tingkat satu dan tingkat dua, dan di bagian output di transistor tingkat dua.
Pada penelitian tugas akhir ini akan dilakukan simulasi membuat rangkaian komponen Low-Noise Amplifier (LNA) untuk mendapatkan noise figure di bawah 3 dB dan gain 28 dB di frekuensi 3 GHz menggunakan perangkat lunak Advanced Design System (ADS) 2016. Dalam penelitian tugas akhir ini akan juga dicari nilai scattering parameter, kestabilan transistor (K) di Low-Noise Amplifier (LNA), dan impedansi input dan output 50Ω.
===============================================================================================
Surveillance is an effort carried out by monitoring the collection of informations in order to ensure the implementation of a standard, influence an event, and carry out directing activities. One of the media used in carrying out surveillance activities is radar. Radar, which stands for radio detection and ranging, is a detection, measurement and monitoring system that utilizes electromagnetic waves in its work function. Radar in the real world is used to measure distances, detect the position and shape of objects, and observe meteorological objects.
In a radar there are important components that function to ensure the good performance of a radar. In this final project research, we will examine the Low-Noise Amplifier (LNA) component that will be used in the CC-OFDM-MIMO radar system. The Low-Noise Amplifier (LNA) electronic component functions as a low-power signal amplifier without reducing the signal-to-noise ratio (SNR). Low-Noise Amplifier (LNA) will be used at the radar receiver which will amplify the signal to be received and then filtered by a band pass filter.
The transistor that will be used in this research is a Bipolar Junction Transistor (BJT) type BFP420 with cascading two RF type transistors that will work at a frequency of 2 – 4 GHz. In impedance matching three circuits will be used at the input of the first-stage transistor, the interstage between the first and second stage transistors, and at the output of the second-stage transistor,
In this final project research, a simulation will be carried out to make a Low-Noise Amplifier (LNA) component circuit to get a noise figure below 3 dB and a gain of 28 dB at a frequency of 3 GHz using the Advanced Design System (ADS) 2016 software. will also look for scattering parameter values, transistor stability (K) for the Low-Noise Amplifier (LNA), and input and output impedances of 50Ω.

Item Type: Thesis (Other)
Uncontrolled Keywords: BJT, Gain, Kestabilan, LNA, Noise Figure, Scattering Parameter, SNR, Stability
Subjects: T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering > TK5101 Telecommunication
Divisions: Faculty of Electrical Technology > Electrical Engineering > 20201-(S1) Undergraduate Thesis
Depositing User: Fathurrahman Aqiilah
Date Deposited: 09 Aug 2024 06:43
Last Modified: 09 Aug 2024 06:43
URI: http://repository.its.ac.id/id/eprint/115268

Actions (login required)

View Item View Item