Fabrikasi Sel Surya Berbasis A-Si:H Lapisan Intrinsik Ganda (P-Ix-Iy-N) Dengan Pecvd Dan Analisis Efisiensinya

Soni, Prayogi (2017) Fabrikasi Sel Surya Berbasis A-Si:H Lapisan Intrinsik Ganda (P-Ix-Iy-N) Dengan Pecvd Dan Analisis Efisiensinya. Masters thesis, Institut Teknologi Sepuluh Nopember.

Text 1115201006-Master-Thesis.pdf - Published Version Restricted to Repository staff only Download (3MB) | Request a copy

Abstract

Tujuan utama pada penelitian ini adalah memfabrikasi sel surya lapisan intrinsik ganda (P-ix-iy-N) a-Si:H dengan menggunakan PECVD. Sel surya lapisan intrinsik ganda (P-ix-iy-N) a-Si:H ditumbuhkan di atas substrat glass Indium Tin Oxide (ITO). Untuk mendapatkan lapisan intrinsik ganda dilakukan dengan pengenceran plasma silan oleh hidrogen, dengan rasio perbandingan hidrogen dan silan, R=H2/SiH4 bervariasi, sementara untuk lapisan ekstrinsik tipe-n dan tipe-n dibuat tetap untuk masing-masing sampel. Kemudian pada sampel dilapisan logam pada bagian belakang yang berperan sebagai kontak listrik dan reflector cahaya. Selanjutnya pada masing-masing sampel dikarakterisasi atau dicari sifat fisik yaitu morfologi ketebalan, sifat optik yaitu bandgap, sifat listik yaitu konduktivitas listrik dan karakterisasi I-V sel surya lapisan intrinsik ganda (P-ix-iy-N) a-Si:H dengan sun simulator dan cahaya matahari. Dari pengukuran konduktivitas listrik dari masing-masing sampel terlihat bahwa, fotorespon (ph/pd) lapisan ekstrinsik yang merupakan rasio konduktivitas terang terhadap konduktivitas gelap menunjukkan nilai yang tidak lebih dari 101, sedangkan fotorespon (ph/pd) lapisan instrinsik dapat mencapai 105. Berdasarkan karakterisasi I-V sel surya lapisan intrinsik ganda (P-ix-iy-N) a-Si:H yang diperoleh dalam penelitian ini, mendapatkan efisiensi konversi yang cukup baik (8,86%).
==================================================================================================================
The main purpose of this research is to fabricate double intrinsic layer (P-ix-iy-N) a-Si:H solar cells by using PECVD. The double intrinsic (P-ix-iy-N) a-Si:H layer was grown on the glass substrates of indium tin oxide (ITO). To produce the double intrinsic layers were achieved by employing a plasma of silane diluted with hydrogen, having various ratio of R=H2/SiH4. Meanwhile, the extrinsic layer of n-type and p-type were made constant for each sample. Sample were then characterized covering properties of, surface morphology, thickness, bandgap, electrical conductivity and I-V curves (photovoltaic performance) by using a sun simulator and sunlight. It was obtained that the photo-response (ph/pd) of the extrinsic layer is around 10, while that of instrinsic one can reach about 105. Further, based on the I-V measurement, the highest efficiency of the (P-ix-iy-N) a-Si:H solar cells is 8.86%.

Item Type:	Thesis (Masters)
Uncontrolled Keywords:	PECVD, Sel Surya a-Si:H, Energi gap, Konduktivitas
Subjects:	T Technology > TP Chemical technology > TP156 Crystallization. Extraction (Chemistry). Fermentation. Distillation. Emulsions.
Divisions:	Faculty of Mathematics and Science > Physics > 45101-(S2) Master Thesis
Depositing User:	PRAYOGI SONI
Date Deposited:	04 May 2017 06:10
Last Modified:	18 Dec 2017 02:02
URI:	http://repository.its.ac.id/id/eprint/41206

Actions (login required)

View Item