Studi Sifat Film Tipis Silikon Amorf Terhidrogenasi Menggunakan Karakterisasi UV-Vis

Purnamasari, Novita Dwi (2019) Studi Sifat Film Tipis Silikon Amorf Terhidrogenasi Menggunakan Karakterisasi UV-Vis. Other thesis, Institut Teknologi Sepuluh Nopember.

Text 01111540000002-Undergraduate_Theses.pdf Restricted to Repository staff only Download (2MB) | Request a copy

Abstract

Film tipis silikon amorf terhidrogenasi (a-Si:H) tipe i telah dibuat di atas kaca ITO 10x10 cm2 dengan sistem Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD). Proses deposisi film tipis tipe i a-Si:H yaitu dengan mengalirkan gas Silan (SiH4) dan Hidrogen (H2). Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui sifat material a-Si:H menggunakan karakterisasi UV-Vis. Sifat dari material a-Si:H yang ingin diketahui antara lain transmitansi, ketebalan film tipis, energi urbach, energi gap, dan koefisien absorbsi. Penelitian ini menggunakan parameter deposisi temperatur dan laju gas hidrogen yang berbeda-beda. Karakterisasi UV-Vis dilakukan pada rentang panjang gelombang 200-1000 nm. Hasil yang didapat dari pengukuran menggunakan UV-Vis yaitu transmitansi dan absorbansi. Dari hasil tersebut dapat dilakukan perhitungan untuk mendapatkan ketebalan, energi gap, energi urbach dan koefisien absorbsi. Ketebalan pada sampel A1, A2 dan A3 berturut turut sebesar 428 nm, 238 nm dan 315 nm. Nilai transmitansi dari terbesar ke terkecil berturut-turut yaitu sampel A1, A3, dan A2. Metode yang lebih sesuai untuk mendapatkan energi gap yaitu metode Tauc Plot dengan nilai energi gap pada sampel A1, A2 dan A3 berturut turut sebesar 1,77 eV, 1,65 eV dan 1,67 eV. Energi urbach yang didapatkan pada sampel A1 sebesar 0,22 eV, A2 sebesar 0,38 eV dan A3 sebesar 0,30 eV. Dan nilai koefisien absorbsi dari terbesar ke terkecil berturut-turut yaitu sampel A2, A3, dan A1.=======================================================================================================================================
Thin film of i type hydrogenated amorphous silicon have been made on the ITO glass 10x10 cm2 by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) system. Thin film of i type a-Si:H was grown by flowing the Silan (SiH4) gas and Hydrogen (H2) gas. The purpose of this research is to know the properties of material a-Si:H by using UV-Vis characterization. The properties of material a-Si:H that meant transmitation, thickness of the film, urbach energy, energy gap, and coefficient absorption. In this research, each sample was given different substrat temperature and hydrogen dillution. The range of wavelength at UV-Vis characterization are 200-1000 nm. The result from UV-Vis are transmittance and absorbance. That result can be used to calculate the thickness, energy gap, urbach energy and coefficient absorption. The thickness of sample A1,A2, A3 are 428 nm, 238 nm, and 315 nm. The transmittance from the biggest value are sample A1, A3, and A2. The best method to calculate energy gap in this research is Tauc Plot with the value of energy gap from sample A1, A2, and A3 are 1,77 eV, 1,65 eV, and 1,67 eV. The urbach energy of sample A1, A2, and A3 are 0,22 eV, 0,38 eV, and 0,30 eV. And the coefficient absorption from the biggest value are sample A2, A3, and A1.

Item Type:	Thesis (Other)
Uncontrolled Keywords:	energy gap, thin film, thickness
Subjects:	Q Science > QC Physics Q Science > QC Physics > QC162 Adsorption and absorption
Divisions:	Faculty of Natural Science > Physics > 45201-(S1) Undergraduate Thesis
Depositing User:	Novita Dwi Purnamasari
Date Deposited:	20 Jul 2026 01:57
Last Modified:	20 Jul 2026 01:57
URI:	http://repository.its.ac.id/id/eprint/64251

Actions (login required)

View Item