Pembuatan Lapisan Tipis Ag-doped ZnO untuk Meningkatkan Faktor Daya Material Termoelektrik

Cahyaningsih, Eka Wahyu (2019) Pembuatan Lapisan Tipis Ag-doped ZnO untuk Meningkatkan Faktor Daya Material Termoelektrik. Other thesis, Institut Teknologi Sepuluh Nopember.

Text 01111540000003-Undergraduate_Theses.pdf Restricted to Repository staff only Download (1MB) | Request a copy

Abstract

Keperluan energi yang semakin meningkat perlu diiringi dengan pengembangan sumber energi alternatif, salah satunya termoelektrik lapisan tipis. Lapisan tipis ZnO sebagai material termoelektrik memiliki faktor daya yang rendah, yaitu 0,033 μWm-1K-2. Penambahan material Ag sebagai dopant bertujuan untuk mengubah material ZnO menjadi semikonduktor tipe P dengan nilai faktor daya yang meningkat. Pembuatan lapisan tipis Ag-doped ZnO dilakukan dengan menggunakan metode DC Magnetron Sputtering. Lapisan tipis Ag-doped ZnO dibuat pada substrat kaca dengan waktu sputtering selama dua menit. Proses sputtering tersebut menggunakan arus 120 mA dan power 63 Watt. Lapisan tipis yang terbentuk diuji dengan tiga proses pengujian, yaitu uji XRD, uji Tolansky Apparatus, dan uji ZEM-3. Hasil uji XRD menunjukkan bahwa lapisan tipis Ag-doped ZnO bersifat amorfus. Dari uji Tolansky Apparatus didapatkan ketebalan lapisan tipis sebesar 100,5358 nm. Uji ZEM-3 dilakukan pada rentang temperatur 323 K hingga 573 K. Lapisan tipis Ag-doped ZnO¬ tergolong sebagai semikonduktor tipe P pada rentang temperatur 373 K hingga 523 K. Faktor daya yang dimiliki oleh lapisan tipis meningkat setelah di-doping, dengan nilai tertinggi 388,342 mWm-1K-2.
===================================================================================================================================
Increased energy requirements are offset by the development of alternative energy sources, one of which is thin film thermoelectric. The ZnO thin film as a thermoelectric material has a low power factor, that is 0.033 μWm-1K-2. The addition of Ag material as a dopant aims to convert ZnO material into P type semiconductors with an increase in the power factor value. The Ag-doped ZnO thin film was made using DC Magnetron Sputtering method. The Ag-doped ZnO thin film is made on a glass substrate with sputtering time is two minutes. The sputtering process uses 120 mA current and 63 Watt power. The thin film formed was tested with three testing processes, there are XRD test, Tolansky Apparatus test, and ZEM-3 test. The XRD test results showed that the ZnO Ag-doped thin film was amorphous. From the Tolansky Apparatus test, the thickness of the thin film is 100.5358 nm. The ZEM-3 test was carried out in a temperature range of 323 K to 573 K. The Ag-doped ZnO thin film was classified as a P type semiconductor in a temperature range of 373 K to 523 K. The power factor of the thin film increased after doping, with the highest value of 388.342 mWm-1K-2.

Item Type:	Thesis (Other)
Uncontrolled Keywords:	Ag-doped ZnO, power factor, and thin film thermoelectric
Subjects:	Q Science > QC Physics Q Science > QC Physics > QC 611.97.T46 Temperature effects. Including transition temperature
Divisions:	Faculty of Natural Science > Physics > 45201-(S1) Undergraduate Thesis
Depositing User:	Eka Wahyu Cahyaningsih
Date Deposited:	20 Jul 2026 02:05
Last Modified:	20 Jul 2026 02:05
URI:	http://repository.its.ac.id/id/eprint/64255

Actions (login required)

View Item