Analisis Morfologi Permukaan dan Sifat Optik Lapisan Tipis Berbasis a-Si:H Untuk Aplikasi Sel Surya

Tirtalina, Amci (2019) Analisis Morfologi Permukaan dan Sifat Optik Lapisan Tipis Berbasis a-Si:H Untuk Aplikasi Sel Surya. Other thesis, Institut Teknologi Sepuluh Nopember.

Text 01111540000018-Undergraduate_Theses.pdf Restricted to Repository staff only Download (2MB) | Request a copy

Abstract

Penelitian ini menggunakan material berbasis a-Si:H. Material merupakan lapisan intrinsik (tanpa doping). Prosedur penelitian terdiri dari 3 tahapan yaitu tahap persiapan sampel yang mana kaca ITO sebagai sampel dipotong sebesar 10x10 cm2, dicuci dan dikeringkan. Lalu pada tahap proses deposisi menggunakan metode PECVD dengan menggunakan parameter deposisi dengan daya 5 watt, tekanan deposisi 2 Torr, temperatur substrat 270o C dan waktu deposisi selama 30 menit. Dengan R (hydrogen dilution ratio) adalah H_2/〖SiH〗_4 divariasi yaitu R=0, 16 dan 36. Kemudian pada tahap terakhir yaitu karakterisasi lapisan meliputi uji AFM dan UV-Vis. Sampel A2 memiliki nilai kekasaran yang besar, dapat diindikasikan bahwa sampel A2 ini memiliki kekasaran yang cocok digunakan untuk aplikasi sel surya. Tebal lapisan a-Si:H menurun seiring dengan meningkatnya laju gas hidrogen pada 0, 40 dan 90 sccm. Rentang pergeseran transmitansi untuk lapisan tipis yang dideposisi dengan R=0 antara 0.01-68.11%, R=16 antara 0.39-37.72% dan R=36 antara 0.64-53.54%. Lebar celah pita energi lapisan a-Si:H semakin besar berkisar di 1.6 eV seiring dengan meningkatnya laju gas hidrogen. Dan sebaliknya, energi urbach akan semakin kecil, diperkirakan terjadi perubahan fase menjadi mikrokristalin (quantum confiment).
==============================================================================
This research uses a-Si:H based material. Material is an intrinsic layer (without doping). The research procedure consisted of 3 stages, namely the sample preparation stage in which the ITO glass as a sample was cut by 10x10 cm2, washed and dried. Then in the deposition process using the PECVD method using deposition parameters with a power of 5 watts, deposition pressure 2 Torr, substrate temperature 270o C and deposition time for 30 minutes. With the R (hydrogen dilution ratio) is H_2/〖SiH〗_4 varied, namely R = 0, 16 and 36. Then in the last stage, the layer characterization includes AFM and UV-Vis tests. A2 sample has a large roughness value, it can be indicated that this A2 sample has a roughness suitable for solar cell applications. The thickness of the a-Si:H layer decreases as the hydrogen gas rate increases at 0, 40 and 90 sccm. The shift range of transmittance for the thin layer deposited with R = 0 between 0.01-68.11%, R = 16 between 0.39-37.72% and R = 36 between 0.64-53.54%. The width of the energy band gap of the a-Si:H layer increases in the range of 1.6 eV along with the increasing rate of hydrogen gas. And conversely, the urbach energy will be smaller, it is estimated that the phase changes to microcrystalline (quantum confiment).

Item Type:	Thesis (Other)
Uncontrolled Keywords:	a-Si:H, Energi Gap, Energi Urbach, Tebal, Kekasaran, PECVD
Subjects:	Q Science > QC Physics > QC162 Adsorption and absorption Q Science > QC Physics > QC174.17.Q38 Quantum teleportation Q Science > QC Physics > QC585.75.S55 Silica
Divisions:	Faculty of Natural Science > Physics > 45201-(S1) Undergraduate Thesis
Depositing User:	Tirtalina Amci
Date Deposited:	20 Jul 2026 03:21
Last Modified:	20 Jul 2026 03:21
URI:	http://repository.its.ac.id/id/eprint/64527

Actions (login required)

View Item