Analisis Pengaruh Variasi Tekanan Gas Nitrogen Pada Lapisan Tipis Ag yang Dideposisikan Di Permukaan Substrat Ti6Al4V Terhadap Sifat Anti Microbial Dengan Proses PVD Rf Sputtering

Esfrando, Jeremy Marcelino (2017) Analisis Pengaruh Variasi Tekanan Gas Nitrogen Pada Lapisan Tipis Ag yang Dideposisikan Di Permukaan Substrat Ti6Al4V Terhadap Sifat Anti Microbial Dengan Proses PVD Rf Sputtering. Undergraduate thesis, Institut Teknologi Sepuluh Nopember.

[thumbnail of 02511440000040-undergraduate_thesis.pdf]
Preview
Text
02511440000040-undergraduate_thesis.pdf - Accepted Version

Download (2MB) | Preview

Abstract

Antimicrobial merupakan sifat yang terdapat pada beberapa logam mulia seperti; perak (Ag), emas (Au), atau tembaga (Cu), yang memiliki kemampuan menghambat perkembangan bakteri. TI-6Al-4V biasa digunakan sebagai bahan implan gigi karena memiliki ketahanan korosi yang kuat, akan tetapi material ini kurang mampu menghambat pertumbuhan bakteri pada permukaannya, sehingga tidak memiliki sifat antimicrobial yang baik. Oleh karena itu dibutuhkan bahan yang memiliki sifat antimicrobial untuk dilapiskan pada permukaan bahan tersebut. Pada penelitian ini, digunakan logam Ag untuk dijadikan material target pada proses pembentukan lapisan tipis dengan metode Physical Vapour Deposition (PVD) Rf Sputtering. Variasi penambahan gas Nitrogen (0,4x10-2 mbar, 0,6x10-2 mbar, 0,8x10-2 mbar, 1,0x10-2 mbar ) dilakukan untuk menganalisis pengaruhnya terhadap sifat antimicrobial lapisan tipis Ag. SEM-EDX, XRD, kekuatan adhesi, dan kemampuan antimicrobial secara in vitro dilakukan untuk karakterisasi lapisan tipis. Variasi dari tekanan gas nitrogren akan mengubah permukaan dari lapisan tipis Ag menjadi lebih halus seiring dengan bertambah nya tekanan gas nitrogen yang terpakai. Untuk tekanan gas Nitrogen yang menghasilkan permukaan yang paling halus menggunakan tekanan sebesar 1,0x10-2 mbar. Dan juga tekanan gas nitrogen yang paling efektif untuk mendapatkan sifat anti microbial yang paling baik yaitu dengan menggunakan tekanan gas nitrogen sebesar 0,4x10-2 mbar.
====================================================================================================
Antimicrobial can be found in some precious metals such as; silver (Ag), gold (Au), or copper (Cu), which has the ability to inhibit bacterial development. TI-6Al-4V is commonly used as dental implant material because it has strong corrosion resistance, but this material is less able to inhibit the growth of bacteria on its surface, so it does not have good antimicrobial properties. It is therefore necessary that the material has antimicrobial properties to be superimposed on the surface of the material. In this study, used Ag metal used as a target material in the process of forming a thin layer with Physical Vapor Deposition (PVD) Rf Sputtering method. Variations in the addition of Nitrogen gas (0.4 × 10-2 mbar, 0.6 × 10-2 mbar, 0.8 × 10-2 mbar, 1.0 × 10-2 mbar) were carried out to analyze the effect on the antimicrobial properties of Ag thin film. SEM-EDX, XRD, adhesion strength, and antimicrobial ability in vitro are performed for thin layer characterization. Variations of nitrogen gas pressure will effect the surface of Ag's thin film to become smoother as it increases the applied nitrogen gas pressure. For Nitrogen gas pressure which produces the lowest surface roughness using pressure of 1.0x10-2 mbar. And also the most effective nitrogen gas pressure to get the best anti microbial properties is by using nitrogen gas pressure of 0.4x10-2 mbar.

Item Type: Thesis (Undergraduate)
Additional Information: RSMt 671.735 Esf a-1 3100018074238
Uncontrolled Keywords: Anti Microbial; Lapisan Tipis; Physical Vapour Deposition; Implan gigi
Subjects: T Technology > TA Engineering (General). Civil engineering (General) > TA491 Metal coating.
Divisions: Faculty of Industrial Technology > Material & Metallurgical Engineering > 28201-(S1) Undergraduate Thesis
Depositing User: Jeremy Marcelino Esfrando
Date Deposited: 06 Feb 2018 01:57
Last Modified: 22 Apr 2020 22:21
URI: http://repository.its.ac.id/id/eprint/49252

Actions (login required)

View Item View Item