ANALISIS LAPISAN TIPIS FeTiSb SEBAGAI KANDIDAT PERANGKAT TERMOELEKTRIK

Putri, Nabiha Rassya Islamy Satrio (2024) ANALISIS LAPISAN TIPIS FeTiSb SEBAGAI KANDIDAT PERANGKAT TERMOELEKTRIK. Other thesis, Institut Teknologi Sepuluh Nopember.

[thumbnail of 5001201033-Undergraduate_Thesis.pdf] Text
5001201033-Undergraduate_Thesis.pdf - Submitted Version
Restricted to Repository staff only

Download (4MB) | Request a copy

Abstract

Untuk mendorong pengembangan Energi Terbarukan (EBT) dan Ketercapaian Tujuan Pembangunan Berkelanjutan (SDG) aspek 7 sebagai energi alternatif di Indonesia yang ramah lingkungan dan energi bersih salah satunya untuk meneliti pemanfaatan efek termoelektrik yang mengonversi energi panas menjadi energi listrik. Lapisan tipis menjadi salah satu potensi baru dalam pengembangan perangkat termoelektrik karena bentuknya dapat dibuat fleksibel, memiliki konduktivitas termal yang jauh lebih kecil dan kemampuan hantaran listrik sama dengan material termoelektrik berdimensi besar seperti bulk. Investigasi material yang dapat dijadikan perangkat termoelektrik salah satunya FeTiSb yang berasal dari material golongan paduan Heusler terutama konfigurasi half-Heusler yang dinilai sebagai bahan dengan kinerja yang baik dan sifat elektronik yang tinggi. Riset ini dilakukan secara eksperimental menggunakan DC magnetron sputtering dan pemerlakuan annealing untuk mendeposisikan material menjadi lapisan tipis. Karakterisasi sifat material, elektronik, dan termoelektrik menunjukkan bahwa material FeTiSb lapisan tipis merupakan material fase amorf yang menghasilkan dua tipe material yakni semikonduktor tipe-p dan tipe-n dengan koefisien Seebeck sebesar 43.8 μVK-1 pada tipe-p dan -6.05 μVK-1 pada tipe-n. Nilai Power factor (PF) maksimum material FeTiSb lapisan tipis meraih 0.7 μWm-1K-2 di suhu 423 K yang dinilai berpotensi sebagai material termoelektrik di suhu rendah. Selanjutnya, hasil fabrikasi dan pengukuran performa dari modul termoelektrik lapisan tipis menghasilkan daya keluaran yang sangat kecil sekitar 0.008 x 10-3 pW di beda suhu 20 K sehingga penerapan atau pengaplikasian material FeTiSb lapisan tipis sebagai kandidat perangkat termoelektrik masih terbatas.
===========================================================
To enhancing the developement of renewable energy transition and also Sustainable Development Goals (SDG) which proposed affordable and clean energy in Indonesia, one of the research is focusing on thermoelectric effect which transforms thermal energy into electrical energy. Thin films have become new potentials in the development of thermoelectric devices which are flexible, possessed smaller thermal conductivity and the same electrical conductivity than the high dimensional thermoelectric materials such as bulk. In investigation of candidate materials that can be used as thermoelectric devices one of which is FeTiSb from Heusler alloy group material with half-Heusler configuration that been assessed good performance and high electronic properties. This research is experimentally using DC magnetron sputtering and annealing procedure to deposisied thin film. Basrd on characterization and examination of thermoelectric properties it is found that FeTiSb thin film are in amorphous phase and transformed to p-type and n-type with Seebeck coefficient of 43.8 μVK-1 and -6.05 μVK-2 respectively. The maximum Power factor reached 0.7 μWm-1K-2 ¬¬at 423 K which have a good thermoelectic properties to become thermoelectric material in low temperature. Therefore, the fabrication of FeTiSb thin film as thermoelectric module reported to have output power around 0.008 x 10-3 pW at thermal difference of 20 K which implies that FeTiSb thin film in the practical application as a thermoelectric device still be limited.

Item Type: Thesis (Other)
Uncontrolled Keywords: Energi Alternatif, Koefisien Seebeck, Lapisan tipis FeTiSb, Sputtering, Termoelektrik. Alternative energy, FeTiSb Thin film, Seebeck Coefficient, Sputtering, Thermoelectric.
Subjects: Q Science > QC Physics > QC100.5 Measuring instruments (General)
Q Science > QC Physics > QC665.E38 Electric fields.
Divisions: Faculty of Science and Data Analytics (SCIENTICS) > Physics
Depositing User: Nabiha Rassya Islamy Satrio Putri
Date Deposited: 08 Aug 2024 02:28
Last Modified: 08 Aug 2024 02:28
URI: http://repository.its.ac.id/id/eprint/112464

Actions (login required)

View Item View Item