Oktavia, Linda Wati (2018) Pengaruh Mg Sebagai Dopan Pada Celah Energi Semikonduktor TiO2 Melalui Studi Eksperimen dan Komputasi. Undergraduate thesis, Institut Teknologi Sepuluh Nopember.
Preview |
Text
01211440000105-Undergraduate_Theses.pdf - Accepted Version Download (1MB) | Preview |
Abstract
Pada penelitian ini dilakukan studi eksperimen dan komputasi untuk mengetahui pengaruh Mg terhadap celah energi TiO2. Pada studi eksperimen, senyawa TiO2 dan TiO2-Mg disintesis menggunakan metode hidrotermal. Selanjutnya, hasil sintesis dikarakterisasi dengan XRD, SEM, dan UV-DRS. Hasil dari eksperimen diperoleh nilai celah energi secara berturut yaitu TiO2 sebesar 3,1 eV, TiO2-Mg 0,5 mol% sebesar 2,9 eV, TiO2-Mg 1 mol% sebesar 2,6 eV dan TiO2-Mg 1,5 mol% sebesar 2,2 eV. Selain itu, pada studi komputasi dilakukan perhitungan sifat elektronik dari senyawa TiO2 dan TiO2-Mg. Hasil dari perhitungan tersebut diperoleh nilai energi pada pita konduksi dan pita valensi. Nilai pita valensi untuk TiO2 adalah sebesar -8,39 eV dan untuk pita konduksi sebesar -3,88 eV. Sedangkan tingkat energi dari Mg adalah sebesar -5,29 eV. Adanya tingkat energi dari Mg membuat driving force injeksi elektron dari LUMO pewarna ke pita konduksi semakin meningkat pada TiO2-Mg.
==============================================================================================================
In this research, the experimental and computational studies have been done to find out the effect of Mg addition into the band gap of TiO2. The experimental study, TiO2 and TiO2-Mg compounds were synthesized using hydrothermal methods. Furthermore, the synthesis results are characterized by XRD, SEM, and UV-DRS. The experimental results obtained that the band gap value of TiO2 is 3.1 eV and TiO2-Mg 1.5 mol% is 2.2 eV. While the computational study conducted calculations of electronic properties of the compounds TiO2 and TiO2-Mg. The calculation results obtained energy value in the conduction band and valence band. The valence band for TiO2 is -8.39 eV and for the conduction band is -3.88 eV. The energi level of Mg is -5.29 eV. The addition of Mg makes the TiO2-Mg conduction band lower than TiO2. The existane of Mg energy level makes the driving force for electrons injection from the LUMO dye is increase in the case of TiO2-Mg.
Item Type: | Thesis (Undergraduate) |
---|---|
Additional Information: | RSKi 621.312 44 Okt p-1 3100018074470 |
Uncontrolled Keywords: | TiO2; TiO2-Mg; celah energi; doping; komputasi; band gap; doping; computation |
Subjects: | Q Science > QD Chemistry T Technology > TJ Mechanical engineering and machinery > TJ810.5 Solar energy |
Divisions: | Faculty of Mathematics and Science > Chemistry > 47201-(S1) Undergraduate Thesis |
Depositing User: | Linda Wati Oktavia |
Date Deposited: | 06 Apr 2018 06:26 |
Last Modified: | 15 Sep 2020 05:39 |
URI: | http://repository.its.ac.id/id/eprint/50391 |
Actions (login required)
View Item |